发明名称 |
碳化硅肖特基结型核电池的制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种碳化硅肖特基结型核电池的制造方法,该电池其自下而上依次包括n型欧姆接触电极8、n型SiC衬底7、n型SiC外延层6、SiO<sub>2</sub>钝化层5、肖特基金属接触层4、肖特基接触电极3、键合层2和放射性同位素源层1,其中,形成n型SiC外延层6的步骤为在初始n型SiC外延层上再进行注入能量为2000KeV~2500KeV,注入剂量为5×10<sup>13</sup>~1×10<sup>15</sup>cm<sup>-2</sup>的铌离子注入,然后在1450℃~1650℃的高温下热退火20~40分钟,进而得到掺杂浓度为1×10<sup>13</sup>~5×10<sup>14</sup>cm<sup>-3</sup>的n型SiC外延层。该方法可以减少n型外延层的载流子浓度,增大耗尽区宽度,提高产生的电子空穴对的收集率,进而提高器件的开路电压和能量转换效率。 |
申请公布号 |
CN103730181A |
申请公布日期 |
2014.04.16 |
申请号 |
CN201310515618.7 |
申请日期 |
2013.10.26 |
申请人 |
溧阳市浙大产学研服务中心有限公司 |
发明人 |
梅欣 |
分类号 |
G21H1/06(2006.01)I |
主分类号 |
G21H1/06(2006.01)I |
代理机构 |
南京天翼专利代理有限责任公司 32112 |
代理人 |
黄明哲 |
主权项 |
一种碳化硅肖特基结型核电池的制造方法,包括如下步骤:(1)在掺杂浓度为1×10<sup>18</sup>~7×10<sup>18</sup>cm<sup>‑3</sup>的高掺杂n型SiC衬底上,外延生长厚度为3um~5um,掺氮浓度为1×10<sup>15</sup>~5×10<sup>15</sup>cm<sup>‑3</sup>的初始n型SiC外延层;(2)在初始n型SiC外延层上再进行注入能量为2000KeV~2500KeV,注入剂量为5×10<sup>13</sup>~1×10<sup>15</sup>cm<sup>‑2</sup>的铌离子注入,然后在1450℃~1650℃的高温下热退火20~40分钟,进而得到掺杂浓度为1×10<sup>13</sup>~5×10<sup>14</sup>cm<sup>‑3</sup>的n型SiC外延层;(3)对掺杂浓度为1×10<sup>13</sup>~5×10<sup>14</sup>cm<sup>‑3</sup>的n型SiC外延层进行干氧氧化,形成SiO<sub>2</sub>钝化层;(4)用反应离子刻蚀法在n型SiC衬底的背面刻蚀SiC层,电子束蒸发Ni/Cr/Au金属层,在1100±50℃温度下,氮气气氛中退火形成欧姆接触电极;(5)在SiO<sub>2</sub>钝化层的中间利用湿法腐蚀出肖特基接触窗口,并且在该窗口上和窗口周边的SiO<sub>2</sub>钝化层上淀积半透明高势垒肖特基金属Ni或Pt或Au,剥离分别形成肖特基金属接触层和肖特基接触电极;(6)在肖特基接触电极上用电子束蒸发Cr/Au形成键合层;(7)在肖特基金属接触层上镀上放射性同位素源Ni‑63层,完成铌掺杂n型外延层的碳化硅肖特基结型核电池的制作。 |
地址 |
213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇东门大街67号 |