发明名称 半导体发光结构
摘要 本发明披露一种半导体发光结构。该半导体发光装置具有发光结构以及光学元件。光学元件环绕连接发光结构,且光学元件的折射系数大于或接近于该发光结构的透明基板,或介于透明基板的折射系数与封装材料的折射系数之间。本发明可以减少被半导体叠层吸收的光线。
申请公布号 CN102163667B 申请公布日期 2014.04.16
申请号 CN201110060321.7 申请日期 2008.01.14
申请人 晶元光电股份有限公司 发明人 谢明勋
分类号 H01L33/10(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/26(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/10(2010.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 彭久云
主权项 一种半导体发光装置,包含:发光结构,包含多个侧面、上表面、下表面、包含发光层的半导体叠层及位于该半导体叠层下方的透明基板;光学组件,连接至该多个侧面中至少一个侧面,并未覆盖该上表面、该下表面、或其二者;反射层,位于该发光结构之下;基座,在所述反射层之下;及第一导线,穿过该反射层;其中该光学组件的折射系数是不小于该透明基板的折射系数、或接近于该透明基板的折射系数。
地址 中国台湾新竹市