生产高纯度氮化硅的方法

摘要

本发明描述了一种采用两个步骤生产高纯度氮化硅的方法。其中a)使高纯度硅和氮气于旋转式管式炉中在含有氩气和氢气的气体混合物存在下反应直到氮含量为10至30wt％，所述旋转式管式炉含有1,150至1,250℃的第一温度区和至少一个1,250至1,350℃的另外的温度区，以及b)使部分来自阶段a)的含氮产物与氮气、氩气和任选的氢气的混合物于腔室或分层式烘炉中、在静止床内于1,100至1,450℃下反应直到氮吸收完成。利用本发明的方法能够以技术上简便的方法生产具有＞99.9％纯度的高纯度氮化硅，在该方法中不需要进一步使用提纯步骤例如无机酸浸析。

主权项

一种分两个阶段生产高纯度氮化硅的方法，其特征在于：a）使高纯度硅和氮气于圆柱形回转炉内在由氩气和氢气组成的气体混合物存在下反应直至氮含量为10至30wt%，所述圆柱形回转炉具有1150至1250℃的第一温度区和至少一个1250至1350℃的另外的温度区，其中所述另外的温度区每一个应表现出比之前的温度区更高的温度，以及b）使来自阶段a）的部分氮化产物与氮气和任选的氩气和/或任选的氢气的混合物于腔室或分层式烘炉中、在静止床内于1100至1450℃下反应直到氮吸收停止。