一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过在形成双应力衬垫之前在形成层间介电层，填平了NMOS和PMOS之间的间隙，使得在形成DSL前整个器件的上表面保持平整，保证了NMOS的第一应力层和PMOS的第二应力层可以在半导体衬底表面规则的形成，并在NMOS和PMOS的交界位置实现良好接触，避免了双应力衬垫的不良，因此，可以更好的发挥DSL的应力增强作用，提高器件的载流子迁移率，降低了半导体器件的功耗并提高了半导体器件的速度。相应地，本发明提供的半导体器件，设置层间介电层填平了NMOS和PMOS之间的间隙从而形成了平整的器件表面，亦具有上述优点。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括用于形成NMOS的NMOS区和用于形成PMOS的PMOS区，以及所述NMOS的栅极与所述PMOS的栅极；步骤S102：在所述半导体衬底上形成层间介电层，所述层间介电层位于所述NMOS和所述PMOS以外的区域，并与所述NMOS的栅极以及所述PMOS的栅极的顶端保持水平；步骤S103：在所述半导体衬底上形成位于所述NMOS上方的第一应力层和位于所述PMOS上方的第二应力层。