发明名称 金属互连线的形成方法
摘要 一种金属互连线的形成方法,包括:提供基底,在基底上形成有介质层,在介质层上形成有金属层;在金属层上形成抗反射层,在抗反射层上形成图形化的光刻胶层,图形化的光刻胶层定义金属互连线的位置;以图形化的光刻胶层为掩模,湿法刻蚀抗反射层;以图形化的光刻胶层为掩模,刻蚀金属层形成金属互连线和相邻两金属互连线之间的沟槽。湿法刻蚀抗反射层,基本不会刻蚀图形化的光刻胶层。这样,刻蚀金属层过程和图形化的光刻胶层的反应生成物之间保持相当的平衡,金属互连线的侧面得到良好保护,线宽与预定义线宽相符。金属互连线线宽符合预定义线宽,产品良率较高,金属互连线中的电子迁移率稳定,其中的信号传递稳定,确保器件性能可靠。
申请公布号 CN103730412A 申请公布日期 2014.04.16
申请号 CN201410006930.8 申请日期 2014.01.07
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 孔秋东
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 张亚利;骆苏华
主权项 一种金属互连线的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,在所述基底上形成有介质层,在所述介质层上形成有金属层;在所述金属层上形成抗反射层,在所述抗反射层上形成图形化的光刻胶层,图形化的光刻胶层定义金属互连线的位置;以所述图形化的光刻胶层为掩模,湿法刻蚀所述抗反射层;以所述图形化的光刻胶层为掩模,刻蚀所述金属层形成金属互连线和相邻两金属互连线之间的沟槽。
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