发明名称 | 用于光刻工艺的掩膜及其制成的图形 | ||
摘要 | 本发明公开了一种城垛状保护结构或周围式保护性掩膜,用以在半导体装置中形成交错式字线图形。此设计能将相邻的数据线彼此偏移,如此每一数据线末端会具有较大面积来设置接触插塞。 | ||
申请公布号 | CN103730337A | 申请公布日期 | 2014.04.16 |
申请号 | CN201310468644.9 | 申请日期 | 2013.10.09 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 戴维·普拉特;理查德·豪斯利 |
分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 江耀纯 |
主权项 | 一种用于光刻工艺的保护性或外围保护性掩膜,其特征在于,在光刻与刻蚀工艺中使用具有多个规律的凸部与凹部的城垛状掩膜,其中借由将所述城垛状掩膜的凸部与凹部设置在预先形成的多个长方形间隙体回路上来将所述间隙体回路图形化成一内存阵列中的字线沟渠。 | ||
地址 | 中国台湾桃园县 |