碳化硅肖特基结型核电池

摘要

本发明公开了一种碳化硅肖特基结型核电池，其自下而上依次包括n型欧姆接触电极8、n型SiC衬底7、n型SiC外延层6、SiO₂钝化层5、肖特基金属接触层4、肖特基接触电极3、键合层2和放射性同位素源层1，其中，n型SiC衬底7的掺杂浓度为1×10¹⁸～7×10¹⁸cm^-3，n型SiC外延层6是通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×10¹³～1×10¹⁵cm^-2的铌离子形成掺杂浓度为1×10¹³～5×10¹⁴cm^-3。其外延层的载流子浓度低，耗尽区宽度大，产生的电子空穴对的收集率高，进而器件的开路电压和能量转换效率高。

主权项

一种碳化硅肖特基结型核电池，自下而上依次包括n型欧姆接触电极(8)、n型SiC衬底(7)、n型SiC外延层(6)、SiO₂钝化层(5)、肖特基金属接触层(4)、肖特基接触电极(3)、键合层(2)和放射性同位素源层(1)，其特征在于：n型SiC衬底(7)的掺杂浓度为1×10¹⁸～7×10¹⁸cm^‑3，n型SiC外延层(6)的掺杂浓度为1×10¹³～5×10¹⁴cm^‑3，且通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×10¹³～1×10¹⁵cm^‑2的铌离子形成。