| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法、SRAM存储单元、SRAM存储器 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法、SRAM存储单元、SRAM存储器。半导体结构，包括：形成于半导体衬底上的至少两个相邻晶体管；两个相邻晶体管的栅极、位于两个相邻晶体管栅极之间的掺杂区围成一开口；覆盖于开口底部和侧壁上的导电层。另一种半导体结构，包括：形成于半导体衬底上的第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管的栅极中绝缘层仅覆盖栅电极层远离第二晶体管掺杂区的一部分；绝缘层、绝缘层露出的第一晶体管的栅电极层、第二晶体管掺杂区、第二晶体管的栅极围成一开口；覆盖于开口底部和侧壁上的导电层。本发明还提供所述半导体结构的形成方法、包括所述半导体结构的SRAM存储单元和SRAM存储器。本发明能减小半导体结构面积。 | ||
| 申请公布号 | CN103730468A | 申请公布日期 | 2014.04.16 |
| 申请号 | CN201210393117.1 | 申请日期 | 2012.10.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 邱慈云;吕瑞霖;蔡建祥 |
| 分类号 | H01L27/11(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的至少两个相邻晶体管；所述两个相邻晶体管的栅极、位于所述两个相邻晶体管的栅极之间的掺杂区围成一开口；覆盖于所述开口底部和侧壁上的导电层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||