发明名称 |
沟槽式金属氧化物半导体场效应管 |
摘要 |
本发明公开了一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管,其在有源区中每两个相邻的栅沟槽之间具有多个沟槽式源-体接触结构,可以在降低栅电荷的同时不影响器件的雪崩特性。 |
申请公布号 |
CN103730500A |
申请公布日期 |
2014.04.16 |
申请号 |
CN201310333026.3 |
申请日期 |
2013.07.31 |
申请人 |
力士科技股份有限公司 |
发明人 |
谢福渊 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管,包括:第一导电类型的衬底;第一导电类型的外延层,位于所述的衬底的上表面,其中所述的外延层的多数载流子的浓度小于所述的衬底;多个第一栅沟槽,位于有源区,形成于所述的外延层中;第二导电类型的体区,位于所述的外延层上方;第一导电类型的源区,位于有源区,且位于所述的体区的上方;和多个沟槽式源‑体接触结构,位于有源区中每两个相邻的第一栅沟槽之间,每个所述的沟槽式源‑体接触结构都填充以金属插塞且延伸入所述的体区,将位于有源区的所述的源区和体区短接至源极金属,其中所述的源区位于沟道区和与其相邻的沟槽式源‑体接触结构之间,而不存在于每两个相邻的沟槽式源‑体接触区之间。 |
地址 |
中国台湾台北县板桥市信义路177-3号 |