发明名称 |
用于辐射吸收和检测的半导体材料 |
摘要 |
用于辐射吸收和检测的半导体材料,其包括化学计量Li(M<sub>1</sub><sup>2+</sup>,M<sub>2</sub><sup>2+</sup>,M<sub>3</sub><sup>2+</sup>,...)(G<sub>1</sub><sup>V</sup>,G<sub>2</sub><sup>V</sup>,G<sub>3</sub><sup>V</sup>,...)的并且显示出反萤石型排序的组成,其中Li=1,(M<sub>1</sub><sup>2+</sup>+M<sub>2</sub><sup>2+</sup>+M<sub>3</sub><sup>2+</sup>+...)=1,和(G<sub>1</sub><sup>V</sup>+G<sub>2</sub><sup>V</sup>+G<sub>3</sub><sup>V</sup>+...)=1。该材料提供了两个有用的特性:[1]高Li-位点密度,其当富集于<sup>6</sup>Li时,产生了异常的中子-吸收能力,和[2]用于有效地将所吸收的光子和中子能量转化为电流的半导能带隙。这些特性可在发电或γ和中子辐射的光谱检测的应用中被利用。该材料可以被定制以便仅仅检测γ光子,仅仅检测中子粒子,或同时检测γ光子和中子粒子。 |
申请公布号 |
CN101710594B |
申请公布日期 |
2014.04.16 |
申请号 |
CN200910175518.8 |
申请日期 |
2009.09.17 |
申请人 |
通用电气公司 |
发明人 |
B·A·克罗西尔;A·艾万;D·B·麦德维特 |
分类号 |
H01L31/02(2006.01)I;G01T1/24(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/02(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
庞立志;韦欣华 |
主权项 |
用于辐射吸收和检测的半导体材料,其包括化学计量LiM<sup>2+</sup>G<sup>V</sup>的并且显示出反萤石型排序的三元组成,其中化学计量部分是Li=1,M<sup>2+</sup>=1,和G<sup>V</sup>=1,其中M<sup>2+</sup>选自由以下组成的组:Be、Mg、Ca、Sr、Ba、V、Cr、Mn、Fe、Ru、Os、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Zn、Cd、Hg、Sn和Pb;其中G<sup>V</sup>选自由以下组成的组:N、P、As、Sb、Bi;其中Li包括<sup>6</sup>Li;并且其中电子空穴对通过辐射吸收产生,并且电子空穴对通过产生电流脉冲来检测。 |
地址 |
美国纽约州 |