应力记忆作用的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种应力记忆作用半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成栅氧化层和栅极；在NMOS区域和PMOS区域上沉积疏松多孔的侧墙层，之后形成侧墙；在PMOS区域上形成第一光刻胶层，对NMOS区域进行N⁺离子注入，并去除NMOS区域上的侧墙；在NMOS区域上形成第二光刻胶层，对PMOS区域进行P⁺离子注入；在NMOS区域和PMOS区域上形成缓冲氧化层和高应力氮化硅层；进行尖峰退火工艺，去除缓冲氧化层、高应力氮化硅层以及PMOS区域上的侧墙。本发明还提供了利用该制造方法的半导体器件。本发明提供的制造方法，采用疏松多孔结构的侧墙，在应力作用下产生形变，释放应力，使应力不会传导到PMOS区域的导电沟道中去，避免PMOS器件的性能下降，同时能够提高NMOS器件的电子迁移率。

主权项

一种应力记忆作用半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在具有PMOS区域和NMOS区域的半导体衬底上形成栅氧化层和栅极；在所述NMOS区域和所述PMOS区域上沉积疏松多孔的侧墙层，并对所述侧墙层进行垂直于所述半导体衬底表面方向的定向刻蚀以形成侧墙，所述侧墙层的材料为SiOC；在PMOS区域上形成第一光刻胶层，对NMOS区域进行N⁺离子注入，并去除NMOS区域上的所述侧墙；去除所述第一光刻胶层；在NMOS区域上形成第二光刻胶层，对PMOS区域进行P⁺离子注入；去除所述第二光刻胶层；在所述NMOS区域和所述PMOS区域上形成缓冲氧化层和高应力氮化硅层；进行尖峰退火工艺，去除所述缓冲氧化层、所述高应力氮化硅层以及所述PMOS区域上的所述侧墙。