衬底、具有薄膜的衬底、半导体器件和半导体器件的制造方法

摘要

提供了一种衬底、具有薄膜的衬底、用上述衬底形成的半导体器件以及制造所述半导体器件的方法，其中所述衬底实现了抑制由于衬底的弯曲而造成半导体器件加工精度的劣化。在衬底(1)中，主表面(1a)的直径为2英寸或更大，主表面(1a)弯曲度值为-40μm至-5μm，并且主表面(1a)的翘曲度值为5μm至40μm。优选衬底(1)的主表面(1a)的表面粗糙程度(Ra)的值为1nm或更小，并且优选主表面(1b)的表面粗糙程度(Ra)的值为100nm或更小。

主权项

一种具有薄膜的衬底（2、3），其包括：碳化硅衬底（1），该碳化硅衬底（1）由碳化硅构成并且具有直径为2英寸或更大的主表面（1a、1b）；以及薄膜（4），所述薄膜（4）由碳化硅构成并且形成在一个所述主表面（1a）上，并且所述主表面（1a、1b）的弯曲度的值不小于‑40μm且不大0μm，并且所述主表面（1a、1b）的翘曲度的值不小于0μm且不大于40μm。