| 发明名称 | 氮化物半导体紫外线发光元件 | ||
| 摘要 | 氮化物半导体紫外线发光元件，具备：基底结构部，包含蓝宝石(0001)基板、和形成在所述基板上的A1N层；以及发光元件结构部，形成在所述基底结构部上，且包含n型A1GaN系半导体层的n型包覆层、具有A1GaN系半导体层的活性层、和p型A1GaN系半导体层的p型包覆层，所述基板的(0001)面以0.6°以上且3.0°以下的偏离角发生倾斜，所述n型包覆层的A1N摩尔分数为50％以上。 | ||
| 申请公布号 | CN103733449A | 申请公布日期 | 2014.04.16 |
| 申请号 | CN201180072697.8 | 申请日期 | 2011.08.09 |
| 申请人 | 创光科学株式会社 | 发明人 | 西瑞尔·佩诺特;平野光 |
| 分类号 | H01S5/323(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/323(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王亚爱 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，具备：基底结构部，包含蓝宝石(0001)基板、和形成在所述基板的(0001)面上的A1N层；以及发光元件结构部，形成在所述基底结构部的结晶表面上，且包含n型A1GaN系半导体层的n型包覆层、具有A1GaN系半导体层的活性层、和p型A1GaN系半导体层的p型包覆层，所述基板的(0001)面以0.6°以上且3.0°以下的偏离角发生倾斜，所述n型包覆层的A1N摩尔分数为50％以上。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||