适用于低功耗芯片的静态随机访问存储器的设计方法

摘要

本发明涉及一种适用于低功耗芯片的静态随机访问存储器的设计方法，包括以下步骤：1)在位线上进行位线电荷再利用，即将邻近位线上将要泄放的电荷转移到旁边将要充电的位线上，再利用位线上的电荷，来减少位线充放电功耗；2)在基本存储单元cell上采用不统一的单元机制，即在同一块SRAM中分别采用两种不同结构的cell，并在预充电时对cell的位线预充电到不同的电压值，来减小保持状态下的栅电流功耗；3)在字线上采用字线电荷再利用，即用两个反向的字线信号控制不同的基本存储单元，当选通时将字线非WL_B信号上将要泄放的电荷转移到字线WL信号上，即再利用字线上的电荷，来减少字线充放电功耗。与现有技术相比，本发明具有功耗低、稳定性高等优点。

主权项

一种适用于低功耗芯片的静态随机访问存储器的设计方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在位线上进行位线电荷再利用，即将邻近位线上将要泄放的电荷转移到旁边将要充电的位线上，再利用位线上的电荷，来减少位线充放电功耗；2）在基本存储单元cell上采用不统一的单元机制，即在同一块SRAM中分别采用两个不同结构的cell，并在预充电时对cell的位线预充电到不同的电压值，来减小保持状态下的栅电流功耗；3）在字线上采用字线电荷再利用，即用两个反向的字线信号控制不同的基本存储单元，当选通时将字线非WL_B信号上将要泄放的电荷转移到字线WL信号上，即再利用字线上的电荷，来减少字线充放电功耗；所述的步骤3）在字线上采用字线电荷再利用具体为：通过字线WL和字线非WL_B两个互为反向的字线信号来控制不同的cell，在未选通时，WL和WL_B分别接GND和VDD，使cell中的接入晶体管都处于关闭状态，在被选通时，WL和WL_B均断开GND和VDD，并通过开关相连来进行电荷的分享，使WL和WL_B都达到半电压1/2VDD的电压值，从而使这两个cell同时开启。