一种集成续流二极管的半导体装置及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有可集成续流二极管的半导体装置；本发明的半导体装置由III族氮化物的三端HEMT器件和III族氮化物的两端SBD器件并联构成，通过金属电板在器件上方或者器件外围通过电板引导将金属电极相连接。带有可集成的续流二极管的HEMT，通过其自带的二极管，避免了外接二极管的模块化的复杂工艺，极大的降低了电路尺寸和设计成本，提高了芯片工作的稳定度。本发明的半导体结适合应用于平面结构的器件。

主权项

一种集成续流二极管的半导体装置，包括：栅极电极；源极电极和漏极电极；阳极电极和阴极电极；一系列III族氮化物层，其形成具有与所述源极电极，漏极电极和阴极电极形成欧姆接触，阳极电极和栅极电极形成肖特基接触的N面堆叠。