发明名称 |
电子器件、半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
一种电子器件、半导体器件及其制造方法。本发明提供了一种利用适合于批量生产制造大衬底的液滴喷射法的制造工艺。通过液滴喷射法选择性地喷射导电膜的光敏材料溶液,选择性地暴露于激光光线,并且显影或蚀刻,由此只允许暴露于激光光线的区域留下,以及实现具有比由喷射形成的图案本身更微小图案的源极布线和漏极布线。源极布线和漏极布线的一个特征是,源极布线和漏极布线穿过岛状半导体层并且与它交叠。 |
申请公布号 |
CN103730513A |
申请公布日期 |
2014.04.16 |
申请号 |
CN201410008748.6 |
申请日期 |
2006.01.28 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
前川慎志;桑原秀明 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
林毅斌;李进 |
主权项 |
一种有源矩阵液晶显示器件,包括:形成于衬底上方的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:栅电极;形成于所述栅电极上方的栅绝缘膜;和包含金属氧化物的半导体膜,所述金属氧化物包括In、Ga和Zn的氧化物;形成于所述半导体膜上的绝缘膜;和形成于所述绝缘膜上并与所述薄膜晶体管电连接的像素电极。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |