发明名称 | 一种实现防外部强磁场干扰的反激式变压器设计方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种实现防外部强磁场干扰的反激式变压器设计方法,本方法从反激式变压器设计阶段就根据变压器磁芯的磁化曲线来优化变压器的电磁参数,改善变压器的自身防磁能力,根据实际需要辅助以通过优化反激式变压器的结构,变压器骨架下方增加软铁材料等手段,来阻断或者减弱耦合到变压器磁芯的磁场。该发明在很多场合可能只需采纳其中的一种到两个手段就可能达到防强磁干扰的目的,本发明适用于防外部强磁场篡改的智能电表或其它具有类似防外部强磁要求的应用场合。该反激式变压器设计方法简单科学,防强磁干扰能力强,适用范围广。 | ||
申请公布号 | CN103730249A | 申请公布日期 | 2014.04.16 |
申请号 | CN201310745051.2 | 申请日期 | 2013.12.30 |
申请人 | 江苏林洋电子股份有限公司 | 发明人 | 朱佳伟;省;尹建丰;李南 |
分类号 | H01F41/00(2006.01)I | 主分类号 | H01F41/00(2006.01)I |
代理机构 | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人 | 夏平 |
主权项 | 一种实现防外部强磁场干扰的反激式变压器设计方法,其特征在于它采用铁氧体材料作为变压器磁芯,包括以下步骤:步骤1,单片离线式开关芯片的选择:选择具有快速限流保护功能并满足输出功率要求的单片离线式开关芯片;步骤2,反激式变压器的设计:所述反激式变压器为原边电流连续模式的反激式变压器,根据电源规格调整所述反激式变压器的设计参数;反激式变压器的设计参数需满足:在反激式变压器的最大磁通密度B<sub>M</sub>值小于3000高斯,开关芯片限流点I<sub>LIMIT</sub>时的磁通密度B<sub>P</sub>值大于或者等于铁氧体磁芯饱和磁通密度B<sub>S</sub>的条件下,ΔB=B<sub>S</sub>‑B<sub>M</sub>的计算值最大。 | ||
地址 | 226200 江苏省南通市启东市林洋路666号 |