| 发明名称 | 超级结半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种超级结半导体器件，在N+硅基板上具有交替排列的P型和N型半导体薄层结构，其中：P型杂质浓度在沿沟槽方向是变化的，在接近P/N薄层上表面的部分的杂质浓度高于电荷平衡时所需的P型杂质的浓度，接近P/N薄层下表面的部分的杂质浓度低于电荷平衡时所需的P型杂质的浓度；接近P/N薄层下表面的部分的最大浓度变化梯度大于接近P/N薄层上表面的部分的最大浓度变化梯度。本发明还公开了一种超级结半导体器件的制作方法。本发明能够提高器件反向击穿电压的均匀性和器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102479806B | 申请公布日期 | 2014.04.16 |
| 申请号 | CN201010553535.3 | 申请日期 | 2010.11.22 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 肖胜安;韩峰 |
| 分类号 | H01L29/15(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 戴广志 |
| 主权项 | 一种超级结半导体器件，在N+硅基板上具有交替排列的P型和N型半导体薄层结构，其特征在于：P型杂质浓度在沿垂直于N+硅基板方向是变化的，P型杂质的分布在接近P/N半导体薄层上表面的部分的杂质浓度高于电荷平衡时所需的P型杂质的浓度，接近P/N半导体薄层下表面的部分的杂质浓度低于电荷平衡时所需的P型杂质的浓度；接近P/N半导体薄层下表面的部分的最大浓度变化梯度大于接近P/N半导体薄层上表面的部分的最大浓度变化梯度；P/N半导体薄层中间部分的P型杂质浓度可以是变化的也可以不变化，当中间部分的P型杂质浓度是变化的时，接近P/N半导体薄层下表面部分的最大浓度变化梯度大于中间部分的P型杂质的最大浓度变化梯度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||