电流阻挡层的制作方法及相应LED芯片

摘要

本发明公开了一种电流阻挡层的制作方法及相应LED芯片，其中制作方法包括如下步骤：S1.对晶圆表面进行清洗；S2.在N型半导体层上刻蚀Mesa区域；S3.再将晶圆放入气相化学沉积仪的腔体内，在对晶圆进行预热，并抽真空，保持腔体内温度恒定；S4.第一次沉积二氧化硅膜；S5第.二次沉积二氧化硅膜；S6.第三次沉积二氧化硅膜，光刻腐蚀形成电流阻挡层，并去除光刻胶。本发明的电流阻挡层的制作方法通过多步沉积的方式形成层状的电流阻挡层，如此使得硅能够充分反应生成氧化硅，达到良好的绝缘效果。由此方法制作的LED芯片发光均匀，其性能稳定，光通量好。同时，本发明的制作方法适应性好，可根据不同尺寸的芯片配合不同形状和厚度的电流阻挡层。

主权项

一种电流阻挡层的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：S1.对晶圆表面进行清洗；S2.刻蚀Mesa区域至N型半导体层；S3.再将晶圆放入气相化学沉积仪的腔体内，在对晶圆进行预热，并抽真空，保持腔体内温度恒定；S4.在腔体中进行第一次沉积，当沉积10～300埃厚度的二氧化硅膜后，停止沉积，进行抽真空；S5.在第一次沉积的二氧化硅膜的基础上，在腔体中进行第二次沉积，当沉积100～500埃厚度的二氧化硅膜后，停止沉积，进行抽真空；S6.在第二次沉积的电流阻挡层的基础上，在腔体中进行第三次沉积，当沉积1000～3000埃厚度的二氧化硅膜后，光刻腐蚀形成电流阻挡层，并去除光刻胶。