| 发明名称 | 一种冷等离子体处理的苜蓿育种方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种冷等离子体处理的苜蓿育种方法。本发明公开的一种冷等离子体处理的苜蓿育种方法，包括如下步骤：（1）将待处理苜蓿原材料进行冷等离子体处理，得到冷等离子体处理后的材料；（2）从冷等离子体处理后的材料中选育具有目标性状的苜蓿。本发明公开的一种冷等离子体处理的苜蓿育种方法突破了传统育种低水平重复、同质化严重和转基因育种潜在危险，以及太空育种经济投入巨大的缺点，可以缩短育种周期，在育种方法和手段上具有先进性。 | ||
| 申请公布号 | CN103718848A | 申请公布日期 | 2014.04.16 |
| 申请号 | CN201410020247.X | 申请日期 | 2014.01.16 |
| 申请人 | 中国农业大学 | 发明人 | 王德成;邵长勇;王光辉;刘亮东;尤泳;吴焕民;冯金奎;贺长彬;梁方;白阳;张晓明;马晓刚;余永 |
| 分类号 | A01G7/06(2006.01)I | 主分类号 | A01G7/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 关畅;陈晓庆 |
| 主权项 | 一种冷等离子体处理的苜蓿育种方法，包括如下步骤：（1）将待处理苜蓿原材料进行冷等离子体处理，得到冷等离子体处理后的材料；（2）从冷等离子体处理后的材料中选育具有目标性状的苜蓿。 | ||
| 地址 | 100193 北京市海淀区圆明园西路2号 | ||