| 发明名称 | 用于在半导体材料中制造层的方法和设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于在半导体材料中制造衬底的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：在初始温度下从第一半导体材料中的供体衬底（30）开始，使供体衬底（30）的表面（31）与在高于所述初始温度的温度下保持在液态的第二半导体材料的镀液（20）接触，第二半导体材料被选择为使得其熔点等于或低于第一半导体材料的熔点，在所述表面（31）上固化镀液材料，以利用固化层使供体衬底（30）变厚。本发明还涉及用于实施所述方法的设备。 | ||
| 申请公布号 | CN103733306A | 申请公布日期 | 2014.04.16 |
| 申请号 | CN201280037068.6 | 申请日期 | 2012.07.25 |
| 申请人 | SOITEC公司 | 发明人 | M·布吕埃尔 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种用于在半导体材料中制造衬底的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：‑在初始温度下从第一半导体材料中的供体衬底（30）开始，‑使所述供体衬底（30）的表面（31）与在高于所述初始温度的温度下保持在液态的第二半导体材料的镀液（20）接触，所述第二半导体材料被选择为使得其熔点等于或低于所述第一半导体材料的熔点，‑在所述表面（31）上固化所述镀液材料，以利用固化层使所述供体衬底（30）变厚。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||