包括具有位线肩部侵蚀保护的隐埋栅电极的半导体器件及形成这样的半导体器件的方法

摘要

本发明涉及包括具有位线肩部侵蚀保护的隐埋栅电极的半导体器件及形成此半导体器件的方法。半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底包括限定半导体衬底的有源区域的隔离体；多个隐埋栅电极，该多个隐埋栅电极在半导体器件的有源区域的上表面的下方延伸；多条位线，该多条位线沿着第一方向在半导体衬底上延伸；多个绝缘图案，该多个绝缘图案沿着与第一方向相交的第二方向在半导体衬底上延伸；以及多个覆盖图案，该多个覆盖图案在位线上方延伸，其中绝缘图案和覆盖图案都包括绝缘材料并且绝缘图案和覆盖图案中的相应的图案的至少一部分相互直接接触。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括限定所述半导体衬底的有源区域的隔离体；多个隐埋栅电极，所述多个隐埋栅电极在所述半导体器件的有源区域的上表面的下方延伸；多条位线，所述多条位线沿着第一方向在所述半导体衬底上延伸；多个绝缘图案，所述多个绝缘图案沿着与所述第一方向相交的第二方向在所述半导体衬底上延伸；以及多个覆盖图案，所述多个覆盖图案在所述位线上方延伸，其中所述绝缘图案和所述覆盖图案都包括绝缘材料并且所述绝缘图案和所述覆盖图案中的相应的图案的至少一部分相互直接接触。