半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中所述制造方法包括：提供锗基半导体衬底，所述锗基半导体衬底具有多个有源区以及多个有源区之间的器件隔离区，所述有源区上具有栅极介质层和栅极介质层之上的栅极，所述有源区包括源漏扩展区和深源漏区；对所述源漏扩展区进行第一离子注入工艺，所述第一离子注入工艺中的注入离子包括硅或碳；对所述源漏扩展区进行第二离子注入工艺；对所述深源漏区进行第三离子注入工艺；对经过第三离子注入工艺之后的锗基半导体衬底进行退火工艺。所述半导体器件的制造方法，通过杂质硅或碳注入，可以由源漏扩展区晶格失配有效地在锗沟道中引入合适应力，增强沟道中电子的迁移率，提高器件性能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供锗基半导体衬底，所述锗基半导体衬底具有多个有源区以及多个有源区之间的器件隔离区，所述有源区上具有栅极介质层和栅极介质层之上的栅极，所述有源区包括源漏扩展区和深源漏区；对所述源漏扩展区进行第一离子注入工艺，以在锗沟道中引入平行于沟道方向的单轴张应力和垂直于沟道平面的压应力，其中，所述第一离子注入工艺中的注入离子包括硅或碳；对所述源漏扩展区进行第二离子注入工艺；对所述深源漏区进行第三离子注入工艺；对经过第三离子注入工艺之后的锗基半导体衬底进行退火工艺；其中，所述第一离子注入工艺的掺杂剂量超过固溶度的硅杂质的剂量；所述第一离子注入工艺的掺杂剂量为1×e13至1×e16atom/cm²。