| 发明名称 | 单晶闪烁体材料及其制造方法、放射线检测器和PET装置 | ||
| 摘要 | 本发明的单晶闪烁体材料的制造方法包括：在含有选自Li、Na、K、Rb、Cs中的1种以上、W和/或Mo、B和氧的熔剂中混合Ce化合物和Lu化合物，在800℃以上、1350℃以下的温度中加热而使上述化合物熔融的工序；和通过对熔融的上述化合物进行冷却，使组成式(Ce<sub>x</sub>Lu<sub>1-x</sub>)BO<sub>3</sub>所示且Ce的组成比例x满足0.0001≤x≤0.05的单晶析出成长的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102165107B | 申请公布日期 | 2014.04.16 |
| 申请号 | CN200980138423.7 | 申请日期 | 2009.09.28 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | 发明人 | 奥田裕之;冈本直之;伊藤进朗 |
| 分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C09K11/00(2006.01)I;C09K11/08(2006.01)I;C09K11/78(2006.01)I;G01T1/202(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种单晶闪烁体材料的制造方法，其特征在于，包括：准备含有选自Li、Na、K、Rb、Cs中的至少1种以上、W和／或Mo、B和氧的熔剂的工序，将Ce化合物和Lu化合物与所述熔剂混合，在800℃以上、1350℃以下的温度中加热而使所述化合物熔融的工序，和通过对熔融的上述化合物进行冷却，使组成式(Ce<sub>x</sub>Lu<sub>1‑x</sub>)BO<sub>3</sub>所示且Ce的组成比例x满足0.0001≤x≤0.05的单晶析出成长的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||