一种N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管

摘要

一种N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有N型阳区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面一定范围内设有栅氧化层和场氧化层，栅氧化层的上表面设有多晶硅栅，器件表面一定范围内还设有钝化层和金属层。其特征在于N型外延层上还设有P型阱区，P型阱区和P型体区构成阶梯状P型掺杂，P型阱区的掺杂浓度低于P型体区，且P型阱区的一侧与场氧化层相切，另一侧与P型体区相抵，这种结构可以显著降低鸟嘴处的电场强度和碰撞电离率，从而有效地改善输出特性。

主权项

一种N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，包括：N型衬底(1)，在N型衬底(1)上设有埋氧(2)，在埋氧(2)上设有N型外延层(3)，在N型外延层(3)的内部设有N型缓冲阱(4)和P型体区(14)，在N型缓冲阱(4)内设有N型阳区(5)，在P型体区(14)中设有N型阴区(13)和P型体接触区(12)，在N型外延层(3)的表面设有栅氧化层(10)和场氧化层(8)且栅氧化层(10)的一端和场氧化层(8)的一端相抵，所述栅氧化层(10)的另一端向N型阴区(13)延伸并止于N型阴区(13)，所述场氧化层(8)的另一端向N型阳区(5)延伸并止于N型阳区(5)，在栅氧化层(10)的表面设有多晶硅栅(9)且多晶硅栅(9)延伸至场氧化层(8)的表面，在场氧化层(8)、P型体接触区(12)、N型阴区(13)、多晶硅栅(9)和N型阳区(5)的表面设有钝化层(7)，在N型阳区(5)表面连接有第一金属层(6)，在P型体接触区(12)和N型阴区(13)连接有第二金属层(11)，其特征在于，在N型外延层(3)内且在栅氧化层(10)的下方设有P型阱区(15)，P型阱区(15)和P型体区(14)构成阶梯状P型掺杂，所述P型阱区(15)的P型掺杂浓度低于P型体区(14)，且P型阱区(15)的一侧与场氧化层(8)相切，另一侧与P型体区(14)相抵。