适于源漏导通检测的检测结构及其检测方法

摘要

本发明提供了一种适于源漏导通的检测结构，其设置于衬底上，包括至少一个水平截面为中空的多边形的有源区环，每个所述有源区环上设有至少一个多晶硅栅，所述多晶硅栅与其两侧所述有源区环构成MOS结构。本发明的检测结构，适于利用E-beam检测的方法检测外延金属的电压对比度，通过的明暗程度观察，可以清楚显示出上述检测结构中是否存在源漏导通，进而，可以判断得出晶圆上是否存在源漏导通。由于发现问题的时间早，也就可以做到避免了不必要的，对于废品的后续加工。

主权项

一种适于源漏导通检测的检测结构，其设置于衬底上，其特征在于，包括至少一个水平截面为中空的多边形的有源区环，每个所述有源区环上设有至少一个多晶硅栅，所述多晶硅栅与其两侧所述有源区环构成MOS结构，且所述多晶硅栅的水平截面为中空的矩型环状结构。