形成金属硅化钨栅极的氧化硅侧墙的方法

摘要

本发明公开了一种形成金属硅化钨栅极的氧化硅侧墙的方法，包括步骤：形成由栅极氧化层、栅极多晶硅和金属硅化钨组成的栅极结构，栅极结构顶部被光刻胶保护；利用工艺气体包括四氟化碳的RIE工艺对光刻胶进行灰化处理；对RIE工艺后的硅衬底进行去离子水冲洗；进行RTO工艺，在栅极结构侧壁形成氧化硅侧墙。本发明方法能够避免生长氧化硅侧墙时使金属硅化钨的晶粒长大而形成球状凸起，也能避免由于避免由球状凸起引起的尖端放电，提高器件的击穿电压；本发明还能降低工艺成本。本发明方法形成的氧化硅侧墙能减少氮化硅层和栅极多晶硅侧壁之间的应力以及能修复栅极多晶硅侧壁的晶格缺陷。

主权项

一种形成金属硅化钨栅极的氧化硅侧墙的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底表面依次形成栅极氧化层、栅极多晶硅和金属硅化钨；采用光刻工艺用光刻胶定义出栅极结构图形区域，以光刻胶为掩模采用刻蚀工艺依次对所述金属硅化钨、所述栅极多晶硅和所述栅极氧化层进行刻蚀形成栅极结构图形；步骤二、进行反应离子刻蚀工艺，利用反应离子刻蚀工艺对所述光刻胶进行灰化处理并将所述光刻胶去除；反应离子刻蚀工艺的工艺气体中包括四氟化碳，在反应离子刻蚀工艺过程中通过产生的氟离子轰击所述金属硅化钨的侧壁表面并利用氟离子与硅化钨的化学反应使所述金属硅化钨的侧壁表面变粗糙，从而提高所述金属硅化钨的侧壁表面被氧化速率；步骤三、对反应离子刻蚀工艺后的所述硅衬底进行去离子水冲洗；步骤四、对去离子水冲洗后的所述硅衬底进行快速热氧化退火处理；所述快速热氧化退火使所述金属硅化钨、所述栅极多晶硅的侧壁表面形成一厚度为100埃～150埃的氧化硅侧墙。