有机薄膜晶体管

摘要

本发明的课题是提供场效应迁移率高、断态电流小的有机薄膜晶体管。本课题的解决手段是一种有机薄膜晶体管，在有机半导体层的内部中，将位于源电极的正上方或正下方的部分作为第1部分，位于漏电极的正上方或正下方的部分作为第2部分，与第1部分和第2部分不同的部分作为第3部分时，掺杂区域存在于第3部分、第1部分和第3部分、或第2部分和第3部分。

主权项

一种有机薄膜晶体管，其具备栅电极、栅极绝缘膜、源电极、漏电极和包含有机半导体材料的有机半导体层，该有机半导体层与该栅极绝缘膜、该源电极及该漏电极接触，该有机半导体层在该有机半导体层的膜厚方向，具有：由位于该源电极的正上方的部分或位于该源电极的正下方的部分构成的第1部分、由位于该漏电极的正上方的部分或位于该漏电极的正下方的部分构成的第2部分、以及与第1部分及第2部分不同的第3部分，该有机半导体层包含：仅由该有机半导体材料构成的非掺杂区域、含有该有机半导体材料且还含有电子接受性化合物或电子供给性化合物的掺杂区域，该掺杂区域的至少一部分包含于该第3部分，该掺杂区域不与该源电极接触，该第1部分与该第3部分的边界的一部分或全部、和该第2部分与该第3部分的边界的一部分或全部不会同时包含于该掺杂区域。