发明名称 一种具有活性层的有机存储器件的制备
摘要 本发明涉及一种具有活性层的有机存储器件的制备。具体步骤如下:首先将原理哦用ITO进行清洗;称取一定量的氢氧化钠颗粒,加入到NMP溶液中;与超声粉碎仪器中超声两小时;随后收集上清液;将沉淀物用去离子水洗涤三到四次,并将沉淀物再次离心;上述两种沉淀物混合,用紫外—臭氧处理;挂钨丝;烘箱中继续烘干,除尽有机溶剂;洗清ITO基片;悬空静置;冷藏箱中冷藏15小时,然后取出即可。冷藏后,通过探针台测量期间性能参数,从高至低排列,然后择优选择本发明的制备方法,制备产率高,可以快速制备,方法简便、快捷,性能优良。
申请公布号 CN103730576A 申请公布日期 2014.04.16
申请号 CN201310612274.1 申请日期 2013.11.28
申请人 丁小淇 发明人 丁小淇
分类号 H01L51/40(2006.01)I 主分类号 H01L51/40(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种具有活性层的有机存储器件的制备,其特征在于,具体步骤如下:首先将原理哦用ITO进行清洗;称取一定量的氢氧化钠颗粒,加入到NMP溶液中;与超声粉碎仪器中超声两小时;随后收集上清液;将沉淀物用去离子水洗涤三到四次,并将沉淀物再次离心;上述两种沉淀物混合,用紫外—臭氧处理;挂钨丝;烘箱中继续烘干,除尽有机溶剂;洗清ITO基片;悬空静置;冷藏箱中冷藏15小时,然后取出即可。
地址 116000 辽宁省大连市西岗区凤鸣街44-5