| 发明名称 | 一种高介电常数的Bi<sub>1-x</sub>Dy<sub>x</sub>FeO<sub>3</sub> 薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种高介电常数的Bi<sub>1-x</sub>Dy<sub>x</sub>FeO<sub>3</sub>薄膜及其制备方法，x=0.06～0.08，该薄膜为菱方结构，均匀性好，空间点群为R-3m(166)，在1kHz频率下，其介电常数为152.8～241.6。制备方法：按摩尔比为(1.05-x):1:x将硝酸铋、硝酸铁和硝酸镝溶于乙二醇甲醚和醋酸酐混合而成的混合液中，得前驱液；在基片上旋涂前驱液，匀胶后烘烤得干膜，再退火，得Bi<sub>1-x</sub>Dy<sub>x</sub>FeO<sub>3</sub>薄膜，重复旋涂前驱液、烘烤、退火至达到所需的薄膜厚度，得高介电常数的Bi<sub>1-x</sub>Dy<sub>x</sub>FeO<sub>3</sub>。本发明设备要求简单，掺杂量易控，能够大幅度提高BiFeO<sub>3</sub>薄膜的介电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103723771A | 申请公布日期 | 2014.04.16 |
| 申请号 | CN201310717935.7 | 申请日期 | 2013.12.20 |
| 申请人 | 陕西科技大学 | 发明人 | 谈国强;晏霞 |
| 分类号 | C01G49/00(2006.01)I | 主分类号 | C01G49/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人 | 陆万寿 |
| 主权项 | 一种高介电常数的Bi<sub>1‑x</sub>Dy<sub>x</sub>FeO<sub>3</sub>薄膜的方法，其特征在于：其化学式为Bi<sub>1‑x</sub>Dy<sub>x</sub>FeO<sub>3</sub>，x=0.06～0.08；在1kHz下，其介电常数为152.8～241.6。 | ||
| 地址 | 710021 陕西省西安市未央区大学园1号 | ||