发明名称 |
一种UVCVD制备ZrO<sub>2</sub>涂层的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种制备氧化锆涂层的方法,通过用化学气相沉积装置,在紫外和近真空的条件下在制备氧化锆涂层,以氮气或者氩气等惰性气体作为载气,沉积温度小于300℃,其前驱体可以是ZrCl(tmhd)<sub>3</sub>、ZrCl<sub>2</sub>(tmhd)<sub>2</sub>(其中tmhd=2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷聚脂)、Zr(OR)<sub>4</sub>或者ZrCl<sub>4</sub>+H<sub>2</sub>O中的一种,反应的基底要求熔点大于300℃的金属或者玻璃化转变温度大于300℃非金属材料,所用的紫外光波长范围是150nm~400nm。本发明的主要优点是:(1)可以在较低温度下制备氧化锆涂层,扩展了基体的选择范围,进而也扩展了氧化锆涂层的应用范围;(2)通过开关紫外光发生装置来开始和终止反应,使得反应可控制性很强,也就有利于涂层本身的厚度和形貌特征的控制,有利于多层材料的制备;(3)工艺简单,造价低廉,实用性很强。 |
申请公布号 |
CN103726028A |
申请公布日期 |
2014.04.16 |
申请号 |
CN201310309133.2 |
申请日期 |
2013.07.23 |
申请人 |
太仓派欧技术咨询服务有限公司 |
发明人 |
陈照峰;吴操 |
分类号 |
C23C16/40(2006.01)I;C23C16/48(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/40(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种UVCVD制备ZrO2涂层的方法,其特征在于通过用化学气相沉积装置,以氮气或者氩气等惰性气体作为载气,沉积温度小于300℃,反应室内近真空和紫外辅助的条件下下合成ZrO2涂层。 |
地址 |
215400 江苏省苏州市太仓市科教新城健雄路20号路南2栋 |