浅沟隔离槽

摘要

本发明公开了一种浅沟隔离槽，由纵向相接的上下两部分组成，其下部分宽度小于上部分宽度，形成步骤为：做小于上部分宽度隔离槽的光刻、刻蚀，刻蚀的深度小于所述浅沟隔离槽的深度；做上部分宽度隔离槽的光刻、刻蚀，刻蚀后最终达到所述浅沟隔离槽的深度；生长线性氧化层，做高密度等离子体氧化层淀积。本发明能有效地解决金属硅化物生长沉淀的过程中沿着浅沟隔离槽边缘向下延伸从而造成器件漏电和隔离变差的问题。

主权项

一种浅沟隔离槽，其特征在于：由纵向相接的上下两部分组成，其下部分宽度小于上部分宽度，其中上部分处于N+层和P+层中、和P阱以及N阱不相连接，下部分处于P阱以及N阱中，且N+层对应位于P阱上面，P+层对应位于N阱上面，采用如下步骤形成：步骤一、做小于上部分宽度隔离槽的光刻、刻蚀，刻蚀的深度小于所述浅沟隔离槽的深度；步骤二、做等于上部分宽度隔离槽的光刻、刻蚀，刻蚀后最终达到所述浅沟隔离槽的深度；步骤三、生长线性氧化层，做高密度等离子体氧化层淀积。