发明名称 |
波导型表面等离子体共振传感器芯片的制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种波导型等离子体共振传感器芯片的制作方法,包括以下步骤:制备带有图案的凸膜及金属墨水;使用纳米压印法将所述凸膜的图案压印到柔性衬底上,使所述柔性衬底上形成与所述图案对应的凹槽;将所述金属墨水在所述凹槽内印刷制膜。本发明方法适用于波导型等离子体共振传感器芯片的制作,且该方法工艺简单,能大面积、大规模、低成本地生产上述传感器芯片,有能力解决传感器芯片的制备需求,很好地满足目前的实际需要。 |
申请公布号 |
CN102654458B |
申请公布日期 |
2014.04.16 |
申请号 |
CN201210153737.8 |
申请日期 |
2012.05.17 |
申请人 |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
发明人 |
潘革波;李岩;肖燕 |
分类号 |
G01N21/55(2014.01)I |
主分类号 |
G01N21/55(2014.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种波导型表面等离子体共振传感器芯片的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:Ⅰ、准备带有图案的凸膜、金属墨水、波导墨水;Ⅱ、使用纳米压印法将所述凸膜的图案压印到柔性衬底(1)上,使所述柔性衬底(1)上形成与所述图案对应的凹槽(2);Ⅲ、将所述波导墨水印刷在所述凹槽(2)内,在90~110℃条件下进行加热烘干,固化后形成15μm‑30μm之间厚度均匀的波导层(3);Ⅳ、将所述金属墨水在所述印刷在所述波导层(3)表面,在90~110℃条件下进行加热烘干,固化后形成金属膜(4)。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 |