利用磁控溅射对原子力显微镜探针进行金膜修饰的方法

摘要

本发明公开一种利用磁控溅射对原子力显微镜探针进行金膜修饰的方法，该方法利用磁控溅射法，室温下在清洗干净的原子力显微镜探针（硅或氮化硅）上依次沉积Cr膜和Au膜；通过改变溅射时间改变Cr膜和Au膜的厚度，最终可得到表面覆有3～20nm铬膜和30～100nm金膜的原子力显微镜探针；可用于微观科学等领域。由于磁控溅射法具有设备简单、成膜均匀、沉积速度快、可用于大面积制膜等优点，该制备方法可在工业化生产中的得到广泛应用。

主权项

一种利用磁控溅射对原子力显微镜探针进行金膜修饰的方法，其特征在于：将清洗干净的探针置于磁控溅射腔内，室温下利用磁控溅射镀膜技术在纯氩气气氛下依次溅射铬膜和金膜，得到表面覆有3～20nm铬膜和30～100nm金膜的原子力显微镜探针，所述原子力显微镜探针为硅探针或氮化硅探针；该方法按以下步骤进行：（1）探针清洗：依次用氯仿、紫外线‑臭氧、氯仿清洗；所述（1）中，氯仿清洗时间为10～20min，紫外线‑臭氧清洗时间为10～30min；（2）溅射铬膜：采用直流溅射铬靶，溅射气体为纯氩气；所述（2）中，本底真空度小于1.0×10^‑4Pa，调节基片与靶材的距离为10～20cm，选用99.99%的纯铬靶作为Cr薄膜沉积的溅射靶；所述（2）中，采用直流溅射铬靶，其中溅射功率为100W，溅射时间为10～70s；（3）溅射金膜：采用直流溅射金靶，溅射气体为纯氩气；所述（3）中，本底真空度小于1.0×10^‑4Pa，调节基片与靶材的距离为10～20cm，选用99.99%的纯金靶作为Au薄膜沉积的溅射靶；所述（3）中，采用直流溅射金靶，溅射功率为70W，溅射时间为150～500s。