渐变带隙纳米硅薄膜

摘要

本实用新型公开了渐变带隙纳米硅薄膜，为纳米硅薄膜材料；晶体硅的带隙为1.12eV，非晶硅为1.75eV；所述器件质量级的纳米硅薄膜晶化率范围为40%-70%；所述渐变带隙纳米硅薄膜的带隙为1.3eV～1.5eV。本实用新型的渐变带隙纳米硅薄膜用于纳米硅电池的I层（也即光吸收层），充分吸收不同波段的太阳光能，还改善了光生空穴的传输，从而可以有效提高电池的光电转换效率；同时渐变光吸收层结构解决了纳米硅太阳电池开路电压较低的问题，而且渐变结构使其与P层及N层的带隙差别较小，较大程度的解决了P/I、I/N界面的带隙失配问题，避免了异质结的界面效应，降低光致衰退效应，降低成本。

主权项

渐变带隙纳米硅薄膜，其特征在于：为纳米硅薄膜材料；晶体硅的带隙为1.12eV，非晶硅为1.75eV；所述器件质量级的纳米硅薄膜晶化率范围为40%‑70%；所述渐变带隙纳米硅薄膜的带隙为1.3eV～1.5eV；由一个1200nm的渐变带隙形成“C”型渐变结构，带隙从1.7eV递变到1.3eV；纳米硅薄膜最高晶化率为70%。