发明名称 自组装磁存储记忆体
摘要 本实用新型提供自组装磁存储记忆体,包括记忆体本体,记忆体本体包括圆盘形硬盘衬底,硬盘衬底一其圆心为中心,设有若干条环形轨道凹槽,轨道凹槽中设有二氧化硅纳米球阵列,二氧化硅纳米球接触空气的表面设有铁铂薄膜,形成铁铂纳米点阵。本实用新型的自组装磁存储记忆体,最大限度地降低了磁畴间的耦合效应;在满足高磁记录密度条件的同时兼具环境稳定性的优越性。
申请公布号 CN203552697U 申请公布日期 2014.04.16
申请号 CN201320427733.4 申请日期 2013.07.18
申请人 江苏海纳磁性纳米新材料科技有限公司 发明人 徐永兵;杨阳
分类号 G11B5/66(2006.01)I 主分类号 G11B5/66(2006.01)I
代理机构 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 代理人 滑春生
主权项 自组装磁存储记忆体,其特征在于,包括记忆体本体(1),所述记忆体本体(1)包括圆盘形硬盘衬底(101),所述硬盘衬底(101)一其圆心为中心,设有若干条环形轨道凹槽(1011),所述轨道凹槽(1011)中设有二氧化硅纳米球(1012)阵列,所述二氧化硅纳米球(1012)接触空气的表面设有铁铂薄膜层(1201)。
地址 226000 江苏省南通市南通市经济技术开发区通盛大道188号B座4层