发明名称 |
自组装磁存储记忆体 |
摘要 |
本实用新型提供自组装磁存储记忆体,包括记忆体本体,记忆体本体包括圆盘形硬盘衬底,硬盘衬底一其圆心为中心,设有若干条环形轨道凹槽,轨道凹槽中设有二氧化硅纳米球阵列,二氧化硅纳米球接触空气的表面设有铁铂薄膜,形成铁铂纳米点阵。本实用新型的自组装磁存储记忆体,最大限度地降低了磁畴间的耦合效应;在满足高磁记录密度条件的同时兼具环境稳定性的优越性。 |
申请公布号 |
CN203552697U |
申请公布日期 |
2014.04.16 |
申请号 |
CN201320427733.4 |
申请日期 |
2013.07.18 |
申请人 |
江苏海纳磁性纳米新材料科技有限公司 |
发明人 |
徐永兵;杨阳 |
分类号 |
G11B5/66(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 |
代理人 |
滑春生 |
主权项 |
自组装磁存储记忆体,其特征在于,包括记忆体本体(1),所述记忆体本体(1)包括圆盘形硬盘衬底(101),所述硬盘衬底(101)一其圆心为中心,设有若干条环形轨道凹槽(1011),所述轨道凹槽(1011)中设有二氧化硅纳米球(1012)阵列,所述二氧化硅纳米球(1012)接触空气的表面设有铁铂薄膜层(1201)。 |
地址 |
226000 江苏省南通市南通市经济技术开发区通盛大道188号B座4层 |