| 发明名称 | 功率半导体器件背面制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种IGBT器件背面制造方法，至少包括下述步骤：a)将正面结构加工完毕的硅片背面减薄；b)在硅片背面用高能离子注入机注入质子H+；c)对硅片进行低温退火；d)在硅片背面用离子注入机注入磷和/或硼杂质；e)以激光退火工艺完成硅片背面表层的晶格修复，并激活杂质。其利用离子注入缺陷产生的复合中心形成少子控制区，有效降低少子寿命，且当IGBT正向关断时，其通过提高载流子的复合效率，有效降低IGBT的关断时间和功耗，该方法简单而有效、便于推广。 | ||
| 申请公布号 | CN103730356A | 申请公布日期 | 2014.04.16 |
| 申请号 | CN201310753735.7 | 申请日期 | 2013.12.31 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司;清华大学 | 发明人 | 周伟;张伟;严利人;刘志弘;许平;王全 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种IGBT器件背面制造方法，至少包括下述步骤：a)、将正面结构加工完毕的硅片背面减薄；b)、在所述硅片背面用高能离子注入机注入质子H+；c)、对所述硅片进行低温退火；d)、在所述硅片背面用离子注入机注入磷和/或硼杂质；e)、以激光退火工艺完成所述硅片背面表层的晶格修复，并激活所述杂质。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||