发明名称 二次电池用铝罐体及其制造方法
摘要 本发明涉及将由铝合金板体构成的盖体及外装体激光焊接并组装而成的二次电池用铝罐体及其制造方法。准备由铝合金构成的合金板体,沿着第1合金板体的侧缘端部将第2合金板体的端面对接,所述铝合金以质量比计至少含有0.30%以下的Si、2~30ppm的范围的B;沿着在第1合金板体的端面产生的对接线进行连续激光焊接。此处将宽度W相对于夹着对接线而赋予的熔融接合部的深度D之比设为1.5以上,并且以具有0.35mm以上的深度D的方式控制激光焊接条件。
申请公布号 CN103733377A 申请公布日期 2014.04.16
申请号 CN201280039602.7 申请日期 2012.09.13
申请人 株式会社神户制钢所 发明人 松本刚;小林一德
分类号 H01M2/02(2006.01)I;B23K26/00(2014.01)I;B23K26/20(2014.01)I;C22C21/00(2006.01)I;H01M2/04(2006.01)I 主分类号 H01M2/02(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 王玉玲
主权项 一种二次电池用铝罐体的制造方法,其特征在于,其是将由铝合金板体构成的盖体及外装体激光焊接并组装而成的二次电池用铝罐体的制造方法,其包括:配置步骤:准备由铝合金构成的合金板体,并沿着第1合金板体的侧缘端部将第2合金板体的端面对接,所述铝合金至少含有以质量比计0.30%以下的Si、2~30ppm的范围的B;和焊接步骤:沿着在所述第1合金板体的端面产生的对接线进行连续激光焊接,所述焊接步骤包括如下的控制步骤:以将宽度W相对于夹着所述对接线而赋予的熔融接合部的深度D之比W/D设为1.5以上的方式控制激光焊接条件。
地址 日本兵库县