| 发明名称 | 晶锭生长设备和制造晶锭的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶锭生长设备，所述晶锭生长装置包括：含有硅熔体的坩埚；提拉装置，所述提拉装置提拉从所述硅熔体生长的硅单晶晶锭；以及掺杂剂供给单元，所述掺杂剂供给单元与所述提拉装置相邻布置，并且用于在所述晶锭的生长期间供给掺杂剂。可以通过所述掺杂剂供给单元以高于晶锭的浓度的浓度掺杂颈部。因此，可以降低位错的传播速度，并且可以缩短传播长度。 | ||
| 申请公布号 | CN103732807A | 申请公布日期 | 2014.04.16 |
| 申请号 | CN201280039532.5 | 申请日期 | 2012.08.10 |
| 申请人 | LG矽得荣株式会社 | 发明人 | 安镇佑;金奉佑;崔日洙;金度延 |
| 分类号 | C30B15/04(2006.01)I;C30B15/32(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人 | 张颖玲;胡春光 |
| 主权项 | 一种晶锭生长设备，包括：含有硅熔体的坩埚；提拉装置，所述提拉装置提拉从所述硅熔体生长的硅单晶晶锭；以及掺杂剂供给单元，所述掺杂剂供给单元与所述提拉装置相邻布置，并且用于在所述晶锭的生长期间供给掺杂剂。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||