| 发明名称 | 非易失性存储器阵列中的保存单元信息的非易失性存储器 | ||
| 摘要 | 本发明揭示用于将修复单元地址信息保存在非易失性磁阻随机存取存储器MRAM中的系统和方法，所述MRAM具有MRAM单元阵列(510)。存储器存取电路(535)耦合到所述MRAM，且经配置以将出故障的单元地址信息(525)存储在所述MRAM中。 | ||
| 申请公布号 | CN103733260A | 申请公布日期 | 2014.04.16 |
| 申请号 | CN201280037360.8 | 申请日期 | 2012.07.25 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 金正丕;金泰焕;哈利·M·拉奥 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01)I;G11C29/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种磁阻随机存取存储器MRAM电路，其包括：MRAM单元阵列；以及存储器存取电路，其耦合到所述阵列，且经配置以将单元地址信息存储在所述阵列中。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||