一种原位表征纳米线的方法

摘要

本发明提供了一种采用SEM-CL和TEM的原位表征方法，包括步骤：1）提供一微栅；2）在微栅的表面形成一导电层；3）将纳米线置于所述导电层表面，并采用粘合剂将所纳米线固定在导电层表面；4）采用扫描电子显微镜选择一单根纳米线，拍摄其具体形貌并记录其尺寸；5）采用阴极荧光测试装置记录所述单根纳米线不同位置的发光性质，并利用阴极荧光测试装置的线扫描功能在所述单根纳米线上标定一第二标记；6）采用透射电子显微镜记录所述单根纳米线上的第二标记处的结构信息。本发明利用特殊的精细的制样和测试方法，将TEM获得的结构信息与SEM-CL获得发光性质直接联系起来，构建材料纳米结构和材料发光性质间的桥梁。

主权项

一种原位表征纳米线的方法，其特征在于，包括步骤：1）提供一微栅；2）在微栅的表面形成一导电层，为在TEM表征结构信息做准备；3）将纳米线分散在所述导电层表面，并采用粘合剂将所述纳米线固定在导电层表面，所述粘合剂为有机液体；4）采用扫描电子显微镜选择一单根纳米线，拍摄其具体形貌并记录其尺寸；5）采用阴极荧光测试装置记录所述单根纳米线不同位置的发光性质，并利用阴极荧光测试装置的线扫描功能在所述单根纳米线上标定一第二标记；6）采用透射电子显微镜记录所述单根纳米线上的第二标记处的结构信息；所述步骤2中，所述导电层的材料为金属或半导体，形成所述导电层的方式为电子蒸镀或溅射，所述导电层的厚度范围均为5nm至10nm；所述微栅具有一第一标记，所述步骤4进一步包括扫描电子显微镜进一步记录所选择的单根纳米线与第一标记的相对位置；所述步骤6进一步包括，透射电子显微镜利用微栅中的第一标记指认出所述单根纳米线，再利用透射电子显微镜记录所述单根纳米线的第二标记处的结构信息。