| 发明名称 | 碳化硅单晶制造设备 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅单晶制造设备，其包括真空室(6)、设置晶种(5)的台座(9)、源气(3)的入口(2)、从所述真空室(6)的底面朝着所述台座(9)延伸的反应室(7)、围绕所述反应室(7)的外周设置的第一加热装置(13)、围绕所述台座(9)的外周设置的第二加热装置(14)、设置在所述真空室(6)中的第一和第二加热装置(13,14)的外侧的出口(4)。在朝着所述台座(9)供应从所述反应室(7)供应的所述源气(3)之后，使所述源气在所述反应室(7)与碳化硅单晶(20)之间在碳化硅单晶(20)的径向方向上向外流动，并通过所述出口(4)排出。 | ||
| 申请公布号 | CN103732808A | 申请公布日期 | 2014.04.16 |
| 申请号 | CN201280037766.6 | 申请日期 | 2012.07.24 |
| 申请人 | 株式会社电装 | 发明人 | 原一都 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B25/10(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王永建 |
| 主权项 | 一种碳化硅单晶制造设备，所述设备包括：真空室(6)；台座(9)，由碳化硅单晶基底制成的晶种(5)设置在所述台座上，所述台座(9)设置在所述真空室(6)中；入口(2)，所述入口设置在所述真空室(6)的底面上并从所述晶种(5)的下方引入碳化硅的源气(3)；反应室(7)，所述反应室从所述真空室(6)的底面朝着所述真空室(6)中的所述台座(9)延伸，所述反应室(7)包括具有中空部分的圆柱形构件，所述源气(3)穿过所述中空部分，所述反应室(7)通过加热使所述源气(3)分解并将分解的源气(3)朝着所述晶种(5)供应；第一加热装置(13)，所述第一加热装置围绕所述反应室(7)的外周设置并加热所述反应室(7)；第二加热装置(14)，所述第二加热装置围绕所述台座(9)的外周设置，并保持在所述晶种(5)的表面上生长的碳化硅单晶(20)的生长表面的高温；出口(4)，所述出口设置在所述真空室(6)中的第一和第二加热装置(13,14)的外侧，并排出所述源气(3)中的未反应气体，其中在朝着所述台座(9)供应从所述反应室(7)供应的所述源气(3)之后，使所述源气(3)在所述反应室(7)与碳化硅单晶(20)之间在碳化硅单晶(20)的径向方向上向外流动，流到所述真空室(6)中的第一和第二加热装置(13,14)的外侧，并通过所述出口(4)排出。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||