半导体器件

摘要

本公开涉及半导体器件。目的是防止例如湿气和氧等杂质混合进入氧化物半导体并且抑制其中使用氧化物半导体的半导体器件的半导体特性中的变化。另一个目的是提供具有高可靠性的半导体器件。提供在具有绝缘表面的衬底之上的栅极绝缘膜、提供在该栅极绝缘膜之上的源电极和漏电极、提供在该源电极和漏电极之上的第一氧化物半导体层，以及提供在该源电极与漏电极和该第一氧化物半导体层之间的源区和漏区被提供。阻挡膜提供为与该第一氧化物半导体层接触。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其包括：形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅绝缘层；隔着所述栅绝缘层在所述栅电极层上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包含沟道形成区；在所述氧化物半导体层上形成导电膜，所述导电膜包含含有铜和锰的合金；在形成所述导电膜之后加热所述导电膜；蚀刻所述导电膜以形成第一导电层和第二导电层；在所述第一导电层和所述第二导电层上形成绝缘膜，其中所述绝缘膜与所述氧化物半导体层在所述第一导电层和所述第二导电层之间的部分接触。