发明名称 |
具有光感测器的薄膜晶体管基板及其制作方法 |
摘要 |
一种具有光感测器的薄膜晶体管基板,其基板具有薄膜晶体管区域及光感测区域。栅极、栅极绝缘层、半导体层及第一图案化导电层依次设于基板上。第一图案化导电层包括与半导体层电性连接的第一和第二源/汲极及位于光感测区域的第一电极层。第一图案化保护层设于第一图案化导电层上。第二图案化导电层设置于第一图案化保护层上,并包括像素电极及位于光感测区域的第二电极层。第二图案化保护层设于第一图案化保护层上,并直接接触覆盖光敏介电层的边缘部。本发明还涉及此具有光感测器的薄膜晶体管基板的制作方法。 |
申请公布号 |
CN103730463A |
申请公布日期 |
2014.04.16 |
申请号 |
CN201210384513.8 |
申请日期 |
2012.10.11 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
翁伟芃;李郁旻;李仁智;郭柏佑;卓恩宗;张钧杰 |
分类号 |
H01L27/06(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海波拓知识产权代理有限公司 31264 |
代理人 |
杨波 |
主权项 |
一种具有光感测器的薄膜晶体管基板,其包括:基板,具有薄膜晶体管区域以及光感测区域;栅极,设置于该基板上并位于该薄膜晶体管区域;栅极绝缘层,设置于该基板上,并覆盖该栅极以及该基板;半导体层,设置于该栅极绝缘层上并位于该栅极的上方;第一图案化导电层,其包括位于该薄膜晶体管区域与该半导体层电性连接的第一源/汲极和第二源/汲极以及位于该光感测区域的第一电极层;第一图案化保护层,设置于该第一图案化导电层上,并露出部分该第二源/汲极以及部分该第一电极层;光敏介电层,设置在第一图案化保护层上,位于该光感测区域并与从第一图案化保护层露出的部分该第一电极层连接;以及第二图案化导电层,设置于该第一图案化保护层以及光敏介电层上,该第二图案化导电层包括位于该薄膜晶体管区域的像素电极以及位于该光感测区域的第二电极层,该像素电极与该第二源/汲极电性连接,该第二电极层与该光敏介电层连接;其特征在于,该具有光感测器的薄膜晶体管基板还包括第二图案化保护层,设置于该第一图案化保护层上,并直接接触覆盖该光敏介电层的边缘部。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号 |