高长宽比的插头填充方法

摘要

一种高长宽比的插头填充方法，其中，在过孔的底部而不是侧壁上形成成核层。该插头填充的方向是从过孔的底部向上而不是从侧壁向内。得到的插头是无空隙且无缝的。

主权项

一种形成插头填充的方法，该方法包括：在含有半导体的层上形成介电层；在所述介电层内形成过孔，该过孔延伸至所述含有半导体的层以使所述过孔的底表面为所述含有半导体的层的一部分；利用单向准直溅射沉积技术，仅在所述过孔的底表面上而不在所述过孔的侧壁上形成成核层；以及在所述成核层上沉积导电性填充材料直到所述过孔的顶部，以产生无缝的插头填充，所述导电性填充材料从下向上地沉积且不从侧壁向内地沉积。