具有IGBT区和二极管区的半导体装置

摘要

在此公开了一种半导体装置，特别是公开了一种具有IGBT区和二极管区的半导体装置，其中IGBT结构设置在IGBT区中并且二极管结构设置在二极管区中，所述IGBT区和所述二极管区都位于同一个衬底内，并且所述IGBT区与所述二极管区相邻。在这种类型的半导体装置中，当IGBT结构被关断时会发生积聚在IGBT区内的载流子流入二极管区的现象。为防止这种现象，缩短载流子寿命的区域至少设置在所述IGBT区内的与所述二极管区相邻的分区中。在所述分区中，省略了IGBT结构的发射极。

主权项

一种半导体装置，其包括衬底，所述衬底包括IGBT区和二极管区，所述IGBT区包括完全分区和不完全分区，其中，所述IGBT区与所述二极管区相邻，所述完全分区、所述不完全分区以及所述二极管区依次布置，包括发射极、栅电极和集电极的完全IGBT结构设置在所述完全分区中，包括所述集电极但缺少所述发射极和所述栅电极中的至少一个的不完全IGBT结构设置在所述不完全分区中，二极管结构设置在所述二极管区中，并且引入所述不完全分区中的载流子的复合中心的密度大于引入所述完全分区中的载流子的复合中心的密度，并且引入所述不完全分区中的载流子的复合中心的所述密度大于引入所述二极管区中的载流子的复合中心的密度。