| 发明名称 |
PROCEDE DE DEPOT D'UNE COUCHE DE TIALN PEU DIFFUSIVE ET GRILLE ISOLEE COMPRENANT UNE TELLE COUCHE |
| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de formation d'une couche de nitrure de titane d'aluminium (TiAlN) sur une plaquette (56) par un dépôt physique en phase vapeur assisté par plasma, comprenant une première étape uniquement à une puissance radiofréquence comprise entre 100 et 500 W, et une seconde étape à puissance radiofréquence comprise entre 500 et 1000 W superposée à une puissance continue (DC) comprise entre 100 et 1000 W. L'invention concerne également une grille isolée comprenant une telle couche de nitrure de titane d'aluminium.</p> |
| 申请公布号 |
FR2996679(A1) |
申请公布日期 |
2014.04.11 |
| 申请号 |
FR20120059614 |
申请日期 |
2012.10.09 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS |
发明人 |
CAUBET PIERRE;DOMENGIE FLORIAN;BAUDOT SYLVAIN |
| 分类号 |
H01L21/203;H01L21/336;H01L29/43 |
主分类号 |
H01L21/203 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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