| 发明名称 |
磁阻随机存取记忆体单元及其制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI434406 |
申请公布日期 |
2014.04.11 |
| 申请号 |
TW100137467 |
申请日期 |
2011.10.17 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
刘明德;江典蔚;高雅嫃;陈文正 |
| 分类号 |
H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12 |
主分类号 |
H01L27/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
