电阻式记忆体及处理电阻式记忆体之方法,申请号TW100104182-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	电阻式记忆体及处理电阻式记忆体之方法
摘要
申请公布号	TWI434408	申请公布日期	2014.04.11
申请号	TW100104182	申请日期	2011.02.08
申请人	美光科技公司美国	发明人	山德胡　古堤Ｓ;史密斯　三世　约翰Ａ
分类号	H01L27/24;H01L45/00	主分类号	H01L27/24
代理机构		代理人	陈长文台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址	美国

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