| 发明名称 |
新颖的Ｎ型双载子电晶体架构改善集极与射极间的击穿效应 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI434410 |
申请公布日期 |
2014.04.11 |
| 申请号 |
TW100127814 |
申请日期 |
2011.08.04 |
| 申请人 |
旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
发明人 |
张晋伟;詹景琳;吕晋贤;李明东;杜硕伦 |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
